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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Kingston 9905630-039.A00G 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
48
49
左右 -2% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.9
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
48
读取速度,GB/s
10.2
11.9
写入速度,GB/s
8.1
10.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2261
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00 4GB
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
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