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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
49
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
38
读取速度,GB/s
10.2
13.9
写入速度,GB/s
8.1
10.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2400
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
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Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
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