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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
46
49
左右 -7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.6
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
46
读取速度,GB/s
10.2
11.6
写入速度,GB/s
8.1
9.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2571
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
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