RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
49
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.6
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
46
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
2571
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link