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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
52
左右 -117% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
24
读取速度,GB/s
9.8
16.6
写入速度,GB/s
8.0
14.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
3209
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
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