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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Kingston 9965640-013.A01G 32GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
52
左右 -53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.1
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
34
读取速度,GB/s
9.8
10.1
写入速度,GB/s
8.0
7.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
2065
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA1339.C8F1 2GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
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