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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
51
52
左右 -2% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
8.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
52
51
读取速度,GB/s
9.8
9.8
写入速度,GB/s
8.0
8.1
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
2208
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
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Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
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Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
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