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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
44
左右 -10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
40
读取速度,GB/s
11.2
13.4
写入速度,GB/s
8.1
11.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3014
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
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SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
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