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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB

总分
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

总分
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Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    36 left arrow 44
    左右 -22% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.7 left arrow 11.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.8 left arrow 8.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    44 left arrow 36
  • 读取速度，GB/s
    11.2 left arrow 15.7
  • 写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 12.8
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2293 left arrow 3035

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较

EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
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Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB RAM的比较

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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
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内存RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
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内存RAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Kingston 9905630-051.A00G 16GB
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内存RAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
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内存RAM
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
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Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
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Kingston KTP9W1-MIE 16GB
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