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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
44
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
27
读取速度,GB/s
11.2
18.0
写入速度,GB/s
8.1
13.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2960
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
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