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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
44
左右 -47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.2
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
30
读取速度,GB/s
11.2
22.2
写入速度,GB/s
8.1
17.1
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3871
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
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