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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
44
左右 -83% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
24
读取速度,GB/s
11.2
15.4
写入速度,GB/s
8.1
11.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2534
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
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