RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
44
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
24
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
2534
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link