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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
44
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
29
读取速度,GB/s
11.2
17.2
写入速度,GB/s
8.1
13.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3294
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
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