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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
52
左右 15% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.7
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
52
读取速度,GB/s
11.2
13.7
写入速度,GB/s
8.1
9.1
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2182
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
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