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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
44
左右 -47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
30
读取速度,GB/s
11.2
17.0
写入速度,GB/s
8.1
13.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3428
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
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