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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
44
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
27
读取速度,GB/s
11.2
18.4
写入速度,GB/s
8.1
15.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3711
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
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SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
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