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SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
比较
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
总分
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
37
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
9.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
14900
左右 1.43 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
32
读取速度,GB/s
15.1
17.7
写入速度,GB/s
9.9
11.9
内存带宽,mbps
14900
21300
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2853
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
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