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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
72
左右 39% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
8.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
11.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
72
读取速度,GB/s
11.2
14.5
写入速度,GB/s
8.1
8.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
1631
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F3-2133C10-4GAB 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
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