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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingston 9965604-027.D00G 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.2
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
8.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
44
左右 -29% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
34
读取速度,GB/s
11.2
10.5
写入速度,GB/s
8.1
8.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2262
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
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