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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingston KTD3KX-MIB 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
44
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13
11.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
26
读取速度,GB/s
11.2
13.0
写入速度,GB/s
8.1
6.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
1931
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
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