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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
44
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
37
读取速度,GB/s
11.2
13.9
写入速度,GB/s
8.1
11.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2387
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
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