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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
44
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
32
读取速度,GB/s
11.2
15.7
写入速度,GB/s
8.1
13.2
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3247
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Mushkin 991586 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
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