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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB

总分
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

总分
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Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB

Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB 需要考虑的原因
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    43 left arrow 44
    左右 -2% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    13.9 left arrow 11.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    44 left arrow 43
  • 读取速度，GB/s
    11.2 left arrow 13.9
  • 写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 8.1
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2293 left arrow 2058

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较

EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB

Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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最新比较

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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
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Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
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EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
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Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
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Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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内存RAM
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
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内存RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
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内存RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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