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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
44
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
29
读取速度,GB/s
11.2
15.1
写入速度,GB/s
8.1
11.5
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2950
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Mushkin 996902 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
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