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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
49
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.6
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
31
读取速度,GB/s
10.1
11.6
写入速度,GB/s
7.8
13.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
2783
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
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