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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
49
左右 -123% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
22
读取速度,GB/s
10.1
19.1
写入速度,GB/s
7.8
14.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3509
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
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