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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB

总分
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

总分
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Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB

Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    22 left arrow 49
    左右 -123% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    18 left arrow 10.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.8 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 22
  • 读取速度，GB/s
    10.1 left arrow 18.0
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 14.8
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2070 left arrow 3330

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM的比较

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Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
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内存RAM
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Kingston 9965589-033.D00G 8GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
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