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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
49
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
40
读取速度,GB/s
10.1
15.6
写入速度,GB/s
7.8
12.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
2772
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
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