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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
47
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
29
读取速度,GB/s
10.4
16.6
写入速度,GB/s
7.8
15.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3629
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-042.A00G 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
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