RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB

总分
star star star star star
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

总分
star star star star star
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB

Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
报告一个错误
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    34 left arrow 49
    左右 -44% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.8 left arrow 10.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.7 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 34
  • 读取速度，GB/s
    10.1 left arrow 14.8
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 9.7
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2070 left arrow 2583

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM的比较

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
内存RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
内存RAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
内存RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
内存RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
内存RAM
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
内存RAM
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
内存RAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
内存RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
内存RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
内存RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
内存RAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
内存RAM