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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
49
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.7
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
27
读取速度,GB/s
10.1
18.4
写入速度,GB/s
7.8
16.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3933
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
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