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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB

总分
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

总分
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB 需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    36 left arrow 49
    左右 -36% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.9 left arrow 10.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.8 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 36
  • 读取速度，GB/s
    10.1 left arrow 14.9
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 9.8
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2070 left arrow 2473

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM的比较

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Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
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内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
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内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
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Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
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内存RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
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内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
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内存RAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
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内存RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
内存RAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
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Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
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内存RAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
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内存RAM
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
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