RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB

总分
star star star star star
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

总分
star star star star star
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB

Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    49 left arrow 66
    左右 26% 更低的延时
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB 需要考虑的原因
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.2 left arrow 10.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.3 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 66
  • 读取速度，GB/s
    10.1 left arrow 16.2
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 8.3
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2070 left arrow 1985

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM的比较

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB RAM的比较

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
内存RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
内存RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
内存RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
内存RAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
内存RAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
内存RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
内存RAM
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
内存RAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
内存RAM
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
内存RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
内存RAM