RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
报告一个错误
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
49
左右 -88% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
26
读取速度,GB/s
10.1
19.4
写入速度,GB/s
7.8
15.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3648
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM的比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB RAM的比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link