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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
71
左右 31% 更低的延时
需要考虑的原因
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
71
读取速度,GB/s
10.1
15.8
写入速度,GB/s
7.8
7.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
1757
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
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