RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
71
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
71
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
1757
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link