RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
71
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
71
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
1757
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link