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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
49
左右 -53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.8
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
32
读取速度,GB/s
10.1
10.8
写入速度,GB/s
7.8
9.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
2618
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM的比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB RAM的比较
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
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