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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
49
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
38
读取速度,GB/s
10.1
13.4
写入速度,GB/s
7.8
9.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
2298
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
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