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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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需要考虑的原因
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
49
左右 -113% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
23
读取速度,GB/s
10.1
17.3
写入速度,GB/s
7.8
13.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3033
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Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
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Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
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