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Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
比较
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB vs Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
总分
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
总分
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
48
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
6.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
48
40
读取速度,GB/s
10.0
11.0
写入速度,GB/s
6.9
10.0
内存带宽,mbps
10600
10600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2055
2493
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB RAM的比较
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB RAM的比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
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