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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
47
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
27
读取速度,GB/s
10.4
14.8
写入速度,GB/s
7.8
10.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2955
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB RAM的比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
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