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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
47
左右 -96% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
24
读取速度,GB/s
10.4
14.7
写入速度,GB/s
7.8
11.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3012
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
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Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
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Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
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G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
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