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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
47
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
29
读取速度,GB/s
10.4
17.1
写入速度,GB/s
7.8
13.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3366
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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