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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
47
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
34
读取速度,GB/s
10.4
16.6
写入速度,GB/s
7.8
14.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3415
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
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