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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
47
左右 -88% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
25
读取速度,GB/s
10.4
19.1
写入速度,GB/s
7.8
15.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3768
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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