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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
47
左右 -47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
32
读取速度,GB/s
10.4
16.1
写入速度,GB/s
7.8
13.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3436
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
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