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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
47
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
29
读取速度,GB/s
10.4
16.2
写入速度,GB/s
7.8
13.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3221
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
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