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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
47
左右 -104% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.3
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
23
读取速度,GB/s
10.4
21.3
写入速度,GB/s
7.8
16.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
4151
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
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