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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
差异
规格
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差异
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
47
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
38
读取速度,GB/s
10.4
14.3
写入速度,GB/s
7.8
10.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2638
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Panram International Corporation M424016 4GB
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